Transistor

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: SOT-227B (ISOTOP). Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: GigaMOS. Tensione drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 480A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 48 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 80 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 41000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 940W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 9100pF. Costo): 2200pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Superficie posteriore isolata elettricamente. Id(imp): 480A. ID (T=25°C): 105A. Idss (massimo): 2uA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 400W. Rds sulla resistenza attiva: 17m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Polar HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Nota: tensione di isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Protezione GS: NINCS

C(in): 7000pF. Costo): 2250pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Superficie posteriore isolata elettricamente. Id(imp): 380A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 100A. Idss (massimo): 1.5mA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 13m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: Polar HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 150V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Nota: tensione di isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Protezione GS: NINCS

C(in): 7600pF. Costo): 2900pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Superficie posteriore isolata elettricamente. Id(imp): 400A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 133A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.009 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: Polar HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Nota: tensione di isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Protezione GS: NINCS

C(in): 7500pF. Costo): 920pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. ID (T=25°C): 34A. Idss (massimo): 2mA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 560W. Rds sulla resistenza attiva: 0.24 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: PLUS247. Custodia (secondo scheda tecnica): PLUS-247 (TO247 senza foro di fissaggio). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protezione GS: NINCS

C(in): 1500pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 130 ns. Funzione: HiPerFAST IGBT with Diode. Corrente del collettore: 48A. Ic(impulso): 80A. Ic(T=100°C): 24A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 75 ns. Td(acceso): 15 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AD ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.5V. Nota: transistor IGBT HiPerFAST. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 2700pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 120ns. Funzione: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Corrente del collettore: 60A. Ic(impulso): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 32A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 25 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Diodo CE: sì

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AD. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 39N60BD1. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 76A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 25 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 500 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Corrente massima del collettore (A): 152A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 2560pF. Costo): 210pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 25 ns. Funzione: C2-Class High Speed IGBT. Corrente del collettore: 60A. Ic(impulso): 33A. Ic(T=100°C): 200A. Nota: custodia isolata. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 18 ns. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 1960pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 25 ns. Funzione: IGBT PT ad alta velocità per commutazione 40-100kHz. Corrente del collettore: 56A. Ic(impulso): 230A. Ic(T=100°C): 27A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 92 ns. Td(acceso): 19 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Spec info: Superficie posteriore isolata elettricamente. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 3900pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 35ns. Funzione: C2-Class High Speed IGBT. Corrente del collettore: 75A. Ic(impulso): 300A. Ic(T=100°C): 48A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 95 ns. Td(acceso): 18 ns. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Nota: transistor IGBT HiPerFAST. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms 300A. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 2113pF. Costo): 197pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Funzione: IGBT con diodo di recupero morbido ultraveloce. Corrente del collettore: 75A. Ic(impulso): 260A. Ic(T=100°C): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 268W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 127 ns. Td(acceso): 43 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.9V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Numero di terminali: 3. Nota: isolamento 2500 V (50/60 Hz RMS, t=1 minuto). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 2250pF. Costo): 370pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.092 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 97 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: PolarHTTM Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263AB ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 300V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AD. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXTH24N50. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.23 Ohms @ 12A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 80 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AD. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXTH5N100A. Tensione drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 100 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 200 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2600pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 180W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 4800pF. Costo): 1020pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 160 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 225A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 96A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 600W. Rds sulla resistenza attiva: 24m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 75 ns. Td(acceso): 28 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Protezione GS: NINCS

C(in): 12pF. Costo): 2210pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 315 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: P-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 270A. ID (T=25°C): 90A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 50uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 890W. Rds sulla resistenza attiva: 0.044 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 89 ns. Td(acceso): 32 ns. Tecnologia: PolarPTM Power MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

C(in): 2250pF. Costo): 370pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 92m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 97 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 300V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione GS: NINCS

C(in): 4000pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 130A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 150uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 92 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 97 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 300V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 2500pF. Costo): 440pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Ic(T=100°C): 75A. Id(imp): 240A. ID (T=25°C): 90A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 176W. Rds sulla resistenza attiva: 0.066 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: TrenchMVTM Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 2770pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 37 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Ic(T=100°C): 75A. Id(imp): 240A. ID (T=25°C): 90A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 2uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.07 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: TrenchT2TM Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 2250pF. Costo): 370pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 92m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 97 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 300V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 2890pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 24A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 480W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: PolarP2TM Power MOSFET. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 270 milliOhms. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 6300pF. Costo): 950pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 88A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 600W. Rds sulla resistenza attiva: 40m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 96 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 300V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 160pF. Costo): 35pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: JFET. ID (min): 100mA. IGF: 50mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. Rds sulla resistenza attiva: 8 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 5 ns. Td(acceso): 6 ns. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 25V. Voltaggio gate/source Vgs: 0.7V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 4.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS