IXTH5N100A

IXTH5N100A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AD. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXTH5N100A. Tensione drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 100 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 200 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2600pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 180W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 23:25.