Transistor

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: MOS-N-FET. ID (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (massimo): 2.7A. Numero di terminali: 3. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 200V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Spec info: 0.3us

Costo): 25pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70MHz. Corrente del collettore: 500mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 800mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-39. Custodia (standard JEDEC): TO-39. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N1893. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 70 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: GE. FT: 8 MHz. Funzione: S-L. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 5A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V

RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): 25pF. Costo): 8pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 0.8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-18. Custodia (standard JEDEC): TO-18. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N2222A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Famiglia di componenti: transistor NPN. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tf(massimo): 60 ns. Tf(min): 60 ns. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -60...+200°C. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 6V

C(in): 30pF. Costo): 8pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 35. Corrente del collettore: 0.8A. Nota: transistor complementare (coppia) 2N2907A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-18. Custodia (standard JEDEC): TO-18. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N2222A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Unità di condizionamento: 5000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: Transistor dell amplificatore. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 35. Corrente del collettore: 0.6A. Marcatura sulla cassa: 2N2222A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 25 ns. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( BULK Pack ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 6V

Resistenza B: sì. Diodo BE: transistor NPN. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-18. Costo): TO-18. Diodo CE: montaggio a foro passante su PCB. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 500 MHz. Funzione: transistor a commutazione. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 0.2A. Ic(impulso): 0.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 15 ns. Tf(min): 15 ns. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -60...+200°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: transistor a commutazione. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 0.6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 200 ns. Tf(min): 175 ns. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: transistor a commutazione. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 0.6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-39. Custodia (standard JEDEC): TO-39. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N2905A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: amplificatore, transistor di commutazione. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 75. Corrente del collettore: 0.6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.6A. Nota: >40. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-18. Custodia (standard JEDEC): TO-18. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N2907A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Famiglia di componenti: transistor PNP. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 400mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 100 ns. Tf(min): 30 ns. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Amplificatore VHF

C(in): 30pF. Costo): 8pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Hfe 100. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 75. Corrente del collettore: 0.6A. Ic(impulso): 0.8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92Ammo-Pack. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-39. Custodia (standard JEDEC): TO-39. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N3019. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Famiglia di componenti: transistor NPN. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 7V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 7V

Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 60V. Corrente del collettore: 15A. Potenza: 115W. Alloggiamento: TO-3

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Funzione: Amplificatore audio lineare e switching. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: tecnologia planare a base epitassiale . Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ2955. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Funzione: Amplificatore audio lineare e switching. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: tecnologia planare a base epitassiale . Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ2955. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ2955. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N3055G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 2.5 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 115W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN