Transistor FET e MOSFET

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-92, -20V, JFET, TO-92, 20V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Custodia (standard JEDEC): JFET. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 20V. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N3820. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: -15mA. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: +8V @ -10V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.36W. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale P. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 8V

Transistor a canale P, 6mA, 6mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18. ID (T=25°C): 6mA. Idss (massimo): 6mA. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Quantità per scatola: 1. Funzione: P-FET S. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-3P, -160V, -8A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3P. Tensione drain-source Uds [V]: -160V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: J119. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 90 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1050pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 200V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 800pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Id(imp): 20A. Numero di terminali: 3. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS (F). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì

Transistor a canale P, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100uA. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 250V. C(in): 1040pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SWITCHING, POWER MOS FET. Id(imp): 24A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 47 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: P-CHANNEL POWER MOS FET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 4 v. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 5A, 5A, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 250V. C(in): 800pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 205 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "Modalità di potenziamento a bassa sorgente di drenaggio sulla resistenza". Id(imp): 20A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: Silicon P Chanel Mos Fet. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Protezione GS: sì

Transistor a canale P, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 100uA. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 250V. C(in): 450pF. Costo): 120pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Id(imp): 18A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: transistor MOSFET al silicio. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Protezione GS: sì

Transistor a canale P, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 12A. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 720pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: diodo di protezione integrato. Id(imp): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 23W. Rds sulla resistenza attiva: 0.13 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 7 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo MOS a canale P. Protezione GS: sì

Transistor a canale P, 500mA, 500mA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 500mA. Idss (massimo): 500mA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 120pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: FET. Funzione: transistor complementare (coppia) 2SK216. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 15V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale P, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 500pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUDIO POWER MOSFET. ID (min): 10mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 100 ns. Voltaggio gate/source Vgs: 14V. Spec info: transistor complementare (coppia) ALF08N20V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 933pF. Costo): 108pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 21 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (min): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.4W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 5.2 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Vgs(esimo) massimo: 1.3V. Vgs(esimo) min.: 0.6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. Spec info: Voltaggio del gate operativo fino a 2,5 V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 9.2A, 50uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 50uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 2060pF. Costo): 370pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 30 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 7.4A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.7W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0085 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 24 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1.7V. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 4407A. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 2330pF. Costo): 480pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 28 ns. Tipo di transistor: FET. Funzione: Applicazioni di commutazione o PWM. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10.5A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0094 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 49.5 ns. Td(acceso): 12.8 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1.7V. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

Transistor a canale P, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Tipo di canale: N-P. Funzione: 0.032R&0.048R (32 & 48m Ohms). Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Quantità per scatola: 2. Tecnologia: MOS-N&P-FET, Complementary ESD rating--3000V (HBM)

Transistor a canale P, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 85A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 4360pF. Costo): 1050pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 39.5 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 65A. ID (min): 0.01uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Rds sulla resistenza attiva: 5.1M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 51 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 18A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 920pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 21.4 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 18A. ID (min): 0.003uA. Marcatura sulla cassa: D405. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 24.5m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1.2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: transistor complementare (coppia) AOD408. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 26A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 26A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 2977pF. Costo): 241pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 18A. ID (min): 0.003uA. Marcatura sulla cassa: D409. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 32m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.4V. Vgs(esimo) min.: 1.2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), DFN8, -30V, -36A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: DFN8. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -36A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: 7401. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.017 Ohms @ -7A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 24 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2060pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 24A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 35V. ID (T=25°C): 24A. Idss (massimo): 25uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 35V. C(in): 990pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 25 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 15A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31.25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziata". Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Convertitore DC/DC a commutazione rapida. Temperatura di funzionamento: -55°C...+150°C. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 1440pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 43 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 11A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Rds sulla resistenza attiva: 0.064 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziata". Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Temperatura di funzionamento: -55°C...+150°C. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 10A, 250uA, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 16A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziata". Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Temperatura di funzionamento: -55°C...+150°C. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, -45V, -0.09A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: -45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MX. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 9 Ohms @ -0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 10 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 25pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.33W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 0.23A, 500nA, TO-92, TO-92, 45V. ID (T=25°C): 0.23A. Idss (massimo): 500nA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 45V. C(in): 60pF. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 3A. ID (min): -0.23A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.7W. Rds sulla resistenza attiva: 14 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-223, -60V, -1.9A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.9A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BSP171P. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ -1.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 276 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 460pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-223, -30V, -3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BSP250.115. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.8V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 80 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 140 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 250pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.65W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C