Transistor FET e MOSFET

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-92, -20V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale P. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N3820. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: -15mA. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: +8V @ -10V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 6mA, 6mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18. ID (T=25°C): 6mA. Idss (massimo): 6mA. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Quantità per scatola: 1. Funzione: P-FET S. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-3P, -160V, -8A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3P. Tensione drain-source Uds [V]: -160V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: J119. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 90 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1050pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100uA. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 250V. C(in): 1040pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SWITCHING, POWER MOS FET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 24A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 47 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: P-CHANNEL POWER MOS FET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 4 v

Transistor a canale P, 5A, 5A, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 250V. C(in): 800pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 205 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "Modalità di potenziamento a bassa sorgente di drenaggio sulla resistenza". Protezione GS: sì. Id(imp): 20A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: Silicon P Chanel Mos Fet. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V

Transistor a canale P, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 500pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUDIO POWER MOSFET. Protezione GS: NINCS. ID (min): 10mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) ALF08N20V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 100 ns. Voltaggio gate/source Vgs: 14V

Transistor a canale P, 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 933pF. Costo): 108pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 21 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Carica di input bassa. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.4W. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. RoHS: sì. Spec info: Voltaggio del gate operativo fino a 2,5 V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 5.2 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Vgs(esimo) massimo: 1.3V. Vgs(esimo) min.: 0.6V

Transistor a canale P, 9.2A, 50uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 50uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 2060pF. Costo): 370pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 30 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 7.4A. ID (min): 10uA. Nota: serigrafia/codice SMD 4407A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.7W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0085 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 24 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1.7V

Transistor a canale P, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 2330pF. Costo): 480pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 28 ns. Tipo di transistor: FET. Funzione: Applicazioni di commutazione o PWM. Protezione GS: sì. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10.5A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0094 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 49.5 ns. Td(acceso): 12.8 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1.7V

Transistor a canale P, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 85A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 4360pF. Costo): 1050pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2500. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 39.5 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 65A. ID (min): 0.01uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Rds sulla resistenza attiva: 5.1M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 51 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V

Transistor a canale P, 18A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 920pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2500. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 21.4 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 18A. ID (min): 0.003uA. Marcatura sulla cassa: D405. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 24.5m Ohms. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) AOD408. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1.2V

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), DFN8, -30V, -36A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: DFN8. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -36A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: 7401. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.017 Ohms @ -7A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 24 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2060pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 24A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 35V. ID (T=25°C): 24A. Idss (massimo): 25uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 35V. C(in): 990pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 25 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore DC/DC a commutazione rapida. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 15A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31.25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziata". Temperatura di funzionamento: -55°C...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-223, -60V, -1.9A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.9A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BSP171P. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ -1.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 276 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 460pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-223, -100V, -0.68A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.68A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BSP316. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.2 Ohms @ -0.61A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 370pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-223, -250V, -0.26A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: -250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.26A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BSP92P. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 12 Ohms @ -0.26A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 101 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 104pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: Pd (dissipazione di potenza, massima). Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 3.6 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 12 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 36pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 8A, 10mA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 734pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Amplificatore di POTENZA AUDIO MOSFET. Protezione GS: NINCS. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BUZ901. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 120ns. Tecnologia: Transistor di potenza MOSFET a canale P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 14V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 1.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.15V

Transistor a canale P, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1802pF. Costo): 415pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 30 ns. Varie: Velocità di commutazione rapida, bassa perdita di ingresso/uscita. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Bassa resistenza in conduzione, bassa tensione di soglia del gate, bassa capacità di ingresso. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 9A. Marcatura sulla cassa: P3020LS. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0116 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 46 ns. Td(acceso): 5.1 ns. Tecnologia: SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale P, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 200V. Piedinatura: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 500pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Varie: Amplificatore di potenza HI-FI. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Amplificatore di POTENZA AUDIO MOSFET. Protezione GS: NINCS. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) ECX10N20. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 100 ns. Tecnologia: Transistor di potenza MOSFET a canale P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 14V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 1.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.15V

Transistor a canale P, 4.3A, 1uA, TSOP, SUPERSOT-6, 35V. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPERSOT-6. Voltaggio Vds(max): 35V. C(in): 530pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 16 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori, Alimentatori. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 20A. ID (min): 1uA. Nota: serigrafia/codice SMD 365P. Marcatura sulla cassa: 365 P. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.6W. Rds sulla resistenza attiva: 0.045 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: PowerTrench® MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23/6, -20V, -4.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23/6. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 6. Marcatura del produttore: .638. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 33 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1160pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.6W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 4A, 10uA, TSOP, SUPERSOT-6, 20V. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPERSOT-6. Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 700pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Interruttore di carico, Protezione della batteria. Protezione GS: sì. Id(imp): 20A. ID (min): 1uA. Nota: serigrafia/codice SMD 642. Marcatura sulla cassa: 642. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.6W. Rds sulla resistenza attiva: 0.045 Ohms. RoHS: sì. Spec info: Carica di input bassa. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 120ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.4V

Transistor a canale P, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: SSOT. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPERSOT-6. Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 630pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 17 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Interruttore di carico, Protezione della batteria. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 20A. ID (min): 250uA. Nota: serigrafia/codice SMD FDC642P. Marcatura sulla cassa: FDC642P. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.2W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0525 Ohms. RoHS: sì. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 23.5 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.4V

Transistor a canale P, 58A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=25°C): 58A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 2085pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "Tecnologia delle trincee ad alte prestazioni". Protezione GS: NINCS. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 50A. Nota: Transistor con controllo a livello logico. Marcatura sulla cassa: FDD4141. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 69W. Rds sulla resistenza attiva: 12.3m Ohms. RoHS: sì. Spec info: resistenza RDS(on) estremamente bassa. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V