Transistor a canale P AOD409, D-PAK ( TO-252 ), 26A, 5uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Transistor a canale P AOD409, D-PAK ( TO-252 ), 26A, 5uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.01€
5-24
0.86€
25-49
0.75€
50-99
0.69€
100+
0.59€
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Transistor a canale P AOD409, D-PAK ( TO-252 ), 26A, 5uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). ID (T=25°C): 26A. Idss (massimo): 5uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. : migliorato. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 2977pF. Carica: 22.2nC. Condizionamento: rotolo. Costo): 241pF. DRUCE CORRENTE: -18A. Diodo Trr (min.): 40 ns. ID (T=100°C): 18A. ID (min): 0.003uA. Id(imp): 60A. Marcatura sulla cassa: D409. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Potenza: 30W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 32m Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 38 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: -60V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 2500. Vgs(esimo) massimo: 2.4V. Vgs(esimo) min.: 1.2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Alpha & Omega Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25

Documentazione tecnica (PDF)
AOD409
38 parametri
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
ID (T=25°C)
26A
Idss (massimo)
5uA
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaggio Vds(max)
60V
migliorato
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
2977pF
Carica
22.2nC
Condizionamento
rotolo
Costo)
241pF
DRUCE CORRENTE
-18A
Diodo Trr (min.)
40 ns
ID (T=100°C)
18A
ID (min)
0.003uA
Id(imp)
60A
Marcatura sulla cassa
D409
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
60W
Potenza
30W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
32m Ohms
RoHS
Td(acceso)
12 ns
Td(spento)
38 ns
Tecnologia
"Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento"
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tensione di gate-source
±20V
Tensione drain-source
-60V
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
2500
Vgs(esimo) massimo
2.4V
Vgs(esimo) min.
1.2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Alpha & Omega Semiconductors