Transistor a canale P 2SJ598, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 12A. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 720pF. Costo): 150pF. Diodo Trr (min.): 50 ns. Funzione: diodo di protezione integrato. Id(imp): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 23W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.13 Ohms. Td(acceso): 7 ns. Td(spento): 35 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo MOS a canale P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Nec. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:26