Transistor a canale P AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Transistor a canale P AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.42€
5-49
0.34€
50-99
0.30€
100-199
0.27€
200+
0.23€
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Transistor a canale P AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 5uA. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. : migliorato. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 933pF. Carica: 7nC. Costo): 108pF. DRUCE CORRENTE: -4A. Diodo Trr (min.): 21 ns. Funzione: Carica di input bassa. ID (T=100°C): 3.8A. ID (min): 1uA. Id(imp): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.4W. Polarità: unipolari. Potenza: 1.4W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. RoHS: sì. Spec info: Voltaggio del gate operativo fino a 2,5 V. Td(acceso): 5.2 ns. Td(spento): 42 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura: +150°C. Tensione di gate-source: ±12V. Tensione drain-source: -30V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 1.3V. Vgs(esimo) min.: 0.6V. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Prodotto originale del produttore: Alpha & Omega Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:52

Documentazione tecnica (PDF)
AO3401A
39 parametri
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
ID (T=25°C)
4.3A
Idss (massimo)
5uA
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaggio Vds(max)
30 v
migliorato
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
933pF
Carica
7nC
Costo)
108pF
DRUCE CORRENTE
-4A
Diodo Trr (min.)
21 ns
Funzione
Carica di input bassa
ID (T=100°C)
3.8A
ID (min)
1uA
Id(imp)
25A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
1.4W
Polarità
unipolari
Potenza
1.4W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.036 Ohms
RoHS
Spec info
Voltaggio del gate operativo fino a 2,5 V
Td(acceso)
5.2 ns
Td(spento)
42 ns
Tecnologia
"Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento"
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Temperatura
+150°C
Tensione di gate-source
±12V
Tensione drain-source
-30V
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
1.3V
Vgs(esimo) min.
0.6V
Voltaggio gate/source Vgs
12V
Prodotto originale del produttore
Alpha & Omega Semiconductors