Transistor FET e MOSFET - RPtronics. Pagina 4 di 11

IRF5210PBF

Transistor a canale P IRF5210PBF, -100V, 40A, TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -100V. Corrente di assorbimento massima: 40A. Alloggiamento: TO-220AB. Rds sulla resistenza attiva: 0.06 Ohms. Tipo...

4.14€

Quantità in magazzino: 6

IRF5210S

Transistor a canale P IRF5210S, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=25°C): 38A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PA...

3.01€

Quantità in magazzino: 129

IRF5210SPBF

Transistor a canale P IRF5210SPBF, D²-PAK, TO-263, -100V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Assorbimento di corrente attraverso il resis...

4.80€

Quantità in magazzino: 365

IRF5305

Transistor a canale P IRF5305, TO-220, 31A, 250uA, TO-220AB, 55V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V....

1.44€

+10 velocemente
Quantità in magazzino: 50

IRF5305PBF

Transistor a canale P IRF5305PBF, -55V, 31A, TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -55V. Corrente di assorbimento massima: 31A. Alloggiamento: TO-220AB. Potenza: 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0....

2.01€

Quantità in magazzino: 162

IRF5305SPBF

Transistor a canale P IRF5305SPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Assorbimento di corrente attraverso il resisto...

2.40€

Quantità in magazzino: 55

IRF5305STRLPBF

Transistor a canale P IRF5305STRLPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Assorbimento di corrente attraverso il resi...

3.12€

+634 velocemente
Quantità in magazzino: 750

IRF6215SPBF

Transistor a canale P IRF6215SPBF, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D...

1.78€

Quantità in magazzino: 33

IRF7104

Transistor a canale P IRF7104, SO, SO-8, -20V. Alloggiamento: SO. Custodia (standard JEDEC): -. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assemblaggio/installazione...

0.80€

Quantità in magazzino: 33

IRF7204

Transistor a canale P IRF7204, SO8. Alloggiamento: SO8. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 25nC. DRUCE CORRENTE: -5.3A. Polarità: unipolari. Potenza: 2.5W. Resistenza termica: 50K/W. RoHS: sì....

1.40€

Quantità in magazzino: 15

IRF7204PBF

Transistor a canale P IRF7204PBF, SO8, -20V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]...

1.19€

Quantità in magazzino: 11

IRF7205PBF

Transistor a canale P IRF7205PBF, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 4.6A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio...

0.72€

Quantità in magazzino: 707

IRF7233

Transistor a canale P IRF7233, SO8, -12V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0...

0.59€

Quantità in magazzino: 10

IRF7233PBF

Transistor a canale P IRF7233PBF, SO8, -12V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]...

1.19€

Quantità in magazzino: 262

IRF7304

Transistor a canale P IRF7304, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: Transistor MOSFET ...

0.95€

Quantità in magazzino: 17

IRF7304PBF

Transistor a canale P IRF7304PBF, SO8, -20V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]...

0.75€

Quantità in magazzino: 9

IRF7306TRPBF

Transistor a canale P IRF7306TRPBF, SO8, -30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. : migliorato. Assemblaggio/installazione: SMD. Assorbimento di cor...

1.56€

+25 velocemente
Quantità in magazzino: 6

IRF7314

Transistor a canale P IRF7314, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Carica: 19nC. DRUCE CORRENTE...

0.91€

+3 velocemente
Quantità in magazzino: 271

IRF7314PBF

Transistor a canale P IRF7314PBF, SO8, -20V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]...

1.19€

Quantità in magazzino: 242

IRF7316

Transistor a canale P IRF7316, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: IDM--30Ap. Numero ...

0.94€

Quantità in magazzino: 22

IRF7316PBF

Transistor a canale P IRF7316PBF, SO8, -30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]...

1.80€

Quantità in magazzino: 267

IRF7328

Transistor a canale P IRF7328, 8A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a mont...

1.38€

Quantità in magazzino: 70

IRF7342

Transistor a canale P IRF7342, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Carica: 26nC. DRUCE CORRENTE...

1.23€

+1 velocemente
Quantità in magazzino: 75

IRF7342PBF

Transistor a canale P IRF7342PBF, SO8, -55V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]...

1.80€

Quantità in magazzino: 4