Transistor a canale P 2SJ407, 5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 200V
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.52€
5-24
2.19€
25-49
1.86€
50+
1.68€
| Prodotto obsoleto, presto rimosso dal catalogo | |
| Esaurito |
Transistor a canale P 2SJ407, 5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 200V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 800pF. Costo): 270pF. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Id(imp): 20A. Numero di terminali: 3. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Tecnologia: V-MOS (F). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:26
2SJ407
22 parametri
ID (T=25°C)
5A
Idss (massimo)
100uA
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220FP
Voltaggio Vds(max)
200V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
800pF
Costo)
270pF
Funzione
Transistor MOSFET a canale P
Id(imp)
20A
Numero di terminali
3
Protezione GS
sì
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.8 Ohms
Tecnologia
V-MOS (F)
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Toshiba