Transistor a canale P AP9575GP, 10A, 250uA, TO-220, 60V

Transistor a canale P AP9575GP, 10A, 250uA, TO-220, 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
9.63€
5-24
8.73€
25-49
7.66€
50-99
7.22€
100+
6.55€
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Esaurito

Transistor a canale P AP9575GP, 10A, 250uA, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Funzione: -. ID (T=100°C): 16A. ID (min): 10uA. Id(imp): 60A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31.3W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 45 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziata". Temperatura di funzionamento: -55°C...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25

AP9575GP
21 parametri
ID (T=25°C)
10A
Idss (massimo)
250uA
Alloggiamento
TO-220
Voltaggio Vds(max)
60V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
ID (T=100°C)
16A
ID (min)
10uA
Id(imp)
60A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
31.3W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
12 ns
Td(spento)
45 ns
Tecnologia
"MOSFET di potenza in modalità potenziata"
Temperatura di funzionamento
-55°C...+150°C
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Voltaggio gate/source Vgs
25V