Transistor a canale P AOD403, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Transistor a canale P AOD403, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.39€
5-49
1.23€
50-99
1.08€
100-199
0.96€
200+
0.73€
Quantità in magazzino: 140

Transistor a canale P AOD403, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 85A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 4360pF. Condizionamento: rotolo. Costo): 1050pF. Diodo Trr (min.): 39.5 ns. ID (T=100°C): 65A. ID (min): 0.01uA. Id(imp): 200A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 5.1M Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 18 ns. Td(spento): 51 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 2500. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Prodotto originale del produttore: Alpha & Omega Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25

Documentazione tecnica (PDF)
AOD403
31 parametri
ID (T=25°C)
85A
Idss (massimo)
5uA
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
4360pF
Condizionamento
rotolo
Costo)
1050pF
Diodo Trr (min.)
39.5 ns
ID (T=100°C)
65A
ID (min)
0.01uA
Id(imp)
200A
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
100W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
5.1M Ohms
RoHS
Td(acceso)
18 ns
Td(spento)
51 ns
Tecnologia
"Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento"
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
2500
Vgs(esimo) massimo
3.5V
Vgs(esimo) min.
1.5V
Voltaggio gate/source Vgs
25V
Prodotto originale del produttore
Alpha & Omega Semiconductors