Transistor a canale P AO4407A, SO, 9.2A, 50uA, SO-8, 30 v. Alloggiamento: SO. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 50uA. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 2060pF. Carica: 30nC. Costo): 370pF. DRUCE CORRENTE: -12A, -10A. Diodo Trr (min.): 30 ns. ID (T=100°C): 7.4A. ID (min): 10uA. Id(imp): 60A. Nota: serigrafia/codice SMD 4407A. Numero di output: 1. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.7W. Polarità: unipolari. Potenza: 2W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.0085 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 11 ns. Td(spento): 24 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di gate-source: ±25V. Tensione drain-source: -30V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1.7V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Prodotto originale del produttore: Alpha & Omega Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:52