Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: GE. FT: 8 MHz. Funzione: S-L. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 60. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-39, TO-39, 60V, 600mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-39. Custodia (standard JEDEC): TO-39. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N2905A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor NPN, 0.6A, 40V. Corrente del collettore: 0.6A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: uso generale. Nota: >40. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V

Transistor NPN, 0.6A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 60V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: applicazioni DC lineari e di commutazione. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 75. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 400mW. Spec info: Amplificatore VHF. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 100 ns. Tf(min): 30 ns. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.5A, 25V. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: NF-S. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 40V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92Ammo-Pack. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare Si-epitassiale. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39 ( TO-5 ), 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39 ( TO-5 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Costo): 20pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150...500 MHz. Funzione: S. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 75. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 350 ns. Tf(min): 100 ns. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92Ammo Pack, 40V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92Ammo Pack. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. C(in): 30pF. Costo): 8.5pF. Diodo CE: NINCS. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 30. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 30 ns. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.75V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. C(in): 30pF. Costo): 8.5pF. Diodo CE: NINCS. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 30. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 30 ns. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, -50V, -50mA, TO-92. Tensione collettore-emettitore VCEO: -50V. Corrente del collettore: -50mA. Alloggiamento: TO-92. Tipo di transistor: transistor PNP. Polarità: PNP. Frequenza massima: 40 MHz. Applicazioni: Audio

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Funzione: preamplificatore. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 250. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 3V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 160V. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N5401. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 200V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. C(in): 75pF. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 30. Numero di terminali: 3. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 4 v

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 300V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. C(in): 75pF. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità e amplificatore lineare. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 30. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Corrente del collettore: 25A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 50A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N5886. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 7A, 60V. Corrente del collettore: 7A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Nota: hFE 20. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Spec info: TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 4A, TO-66, TO-66, 120V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-66. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-66. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5 MHz. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 15. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 130V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5 MHz. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 20. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6488. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Diodo BE: NINCS. C(in): 100pF. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 15. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6517. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 60V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: S-L, Low-sat. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2562. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: CTV-NF/VA. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 60. Marcatura sulla cassa: A1013. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2383. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92, 2-5F1B. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC1162. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+125°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, RM-60, 120V, 12A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: RM-60. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 12A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 120W

Transistor NPN, 17A, 200V. Corrente del collettore: 17A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, SOT-32, 35V, 5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SA1120. Frequenza di taglio ft [MHz]: 170 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C