Transistor NPN 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V

Transistor NPN 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0437€
50-99
0.0381€
100-199
0.0338€
200+
0.0284€
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Transistor NPN 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Corrente del collettore: 100mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92Ammo-Pack. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Confezione: Ammo Pack. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 0.2A. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. FT: 250 MHz. Famiglia di componenti: transistor PNP. Frequenza di taglio ft [MHz]: 250 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 200mA. Marcatura del produttore: 2N3906. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Polarità: bipolari. Potenza: 0.625W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: Transistor planare Si-epitassiale. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tensione (collettore - emettitore): 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Diodes Inc. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:37

Documentazione tecnica (PDF)
2N3906
38 parametri
Alloggiamento
TO-92
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
40V
Corrente collettore Ic [A], max.
200mA
Corrente del collettore
100mA
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92Ammo-Pack
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
40V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Confezione
Ammo Pack
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A]
0.2A
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Dissipazione massima Ptot [W]
0.625W
FT
250 MHz
Famiglia di componenti
transistor PNP
Frequenza di taglio ft [MHz]
250 MHz
Guadagno hFE massimo
300
Guadagno hFE minimo
100
Ic(impulso)
200mA
Marcatura del produttore
2N3906
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.625W
Polarità
bipolari
Potenza
0.625W
Quantità per scatola
1
RoHS
Tecnologia
Transistor planare Si-epitassiale
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Temperatura massima
+150°C.
Tensione (collettore - emettitore)
40V
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.25V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
40V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Diodes Inc
Quantità minima
10