Transistor NPN 2N5401, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, 0.6A, TO-92, 150V

Transistor NPN 2N5401, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, 0.6A, TO-92, 150V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0718€
50-99
0.0633€
100-199
0.0563€
200+
0.0468€
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Min.: 10

Transistor NPN 2N5401, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, 0.6A, TO-92, 150V. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 160V. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. Corrente del collettore: 0.6A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: Ammo Pack. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 600mA. Costo): 6pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. FT: 100 MHz. Famiglia di componenti: transistor PNP. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Frequenza: 400MHz. Guadagnare hfe: 240. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 50. Marcatura del produttore: 2N5401. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Polarità: bipolari. Potenza: 0.625W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: 2N5401. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tensione (collettore - emettitore): 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 160V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Diotec Semiconductor. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:37

Documentazione tecnica (PDF)
2N5401
41 parametri
Alloggiamento
TO-92
Custodia (standard JEDEC)
TO-226AA
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
160V
Corrente collettore Ic [A], max.
600mA
Corrente del collettore
0.6A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
150V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
Ammo Pack
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A]
600mA
Costo)
6pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Dissipazione massima Ptot [W]
0.625W
FT
100 MHz
Famiglia di componenti
transistor PNP
Frequenza di taglio ft [MHz]
100 MHz
Frequenza
400MHz
Guadagnare hfe
240
Guadagno hFE massimo
240
Guadagno hFE minimo
50
Marcatura del produttore
2N5401
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.625W
Polarità
bipolari
Potenza
0.625W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
2N5401
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Temperatura massima
+150°C.
Tensione (collettore - emettitore)
150V
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.2V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
160V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Diotec Semiconductor
Quantità minima
10

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