Coppia di transistor MOSFET N-P

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: 0.027R&0.049R (27 & 49m Ohms). Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor MOSFET complementari, canale N e canale P. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: 0.055R&0.019R (55 & 19m Ohms). Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor MOSFET complementari, canale N e canale P. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Rds sulla resistenza attiva: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor MOSFET complementari, canale N e canale P, SCHOTTKY VDS=30V, IF=3A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: modalità di miglioramento complementare FET. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Spec info: 0.025 Ohms & 0.042 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: modalità di miglioramento complementare FET. Ids: 1...5uA. Nota: IDM--30Ap & 30Ap. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Spec info: 0.024 Ohms & 0.036 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 16.2/4.8 ns. Td(acceso): 6.4 ns. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1.7V

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Transistor MOSFET, Rds (ON) molto basso. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Spec info: 0.024 Ohms & 0.048 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Transistor MOSFET complementari, canale N e canale P. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Spec info: 0.024 Ohm & 0.038 Ohm. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: modalità di miglioramento complementare FET. Marcatura sulla cassa: P605. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.8W. RoHS: sì. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.050 Ohms (Q2). Marcatura sulla cassa: 4501GM. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Nota: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: DIP-8. Alloggiamento: DIP

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: *SMD TO-252-4L*. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: td(on) 7&10ns, td(off) 11&18ns. Nota: serigrafia/codice SMD KNP. Marcatura sulla cassa: KNP. Numero di terminali: 6. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: MOSFET in modalità di potenziamento della coppia complementare. Alloggiamento: SOT-363 ( SC-88 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-363

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.07 Ohms (Q1), 0.125 Ohms (Q2). Nota: serigrafia/codice SMD 420. Marcatura sulla cassa: 420. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPERSOT-6

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2500. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Spec info: Transistor a canale N (Q1), transistor a canale P (Q2). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: omplementary PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

Transistor MOSFET. C(in): 760pF. Costo): 155pF. Tipo di canale: N-P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Protezione GS: NINCS. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: doppio transistor MOSFET, Canali N e P, PowerTrench . Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N-P. Funzione: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Diodo al germanio: NINCS. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 137 ns. Td(acceso): 36ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.45V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.2V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V

Transistor MOSFET. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N-P. Funzione: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Diodo al germanio: NINCS. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 290W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 170 ns. Td(acceso): 47 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V

Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Funzione: 2xN-CH 20V, Fast Switching. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. C(in): 780pF. Costo): 430pF. Tipo di canale: N-P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 2. Diodo Trr (min.): 47 ns. Funzione: 0.029R & 0.58R. Protezione GS: NINCS. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P-HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Nota: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms. Nota: ( = P23AF 4532 SMD ). Marcatura sulla cassa: F7319. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P-HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: 28 & 65m Ohms). Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SOP-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: IDM--20App, td(on)--12&8nS, td(off)--23&21nS. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: D-S-MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8