Coppia di transistor MOSFET N-P

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Marcatura sulla cassa: 4502C. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.011 Ohms (Q1), 0.1016 Ohms (Q2)

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: 0.027R&0.049R (27 & 49m Ohms). Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor MOSFET complementari, canale N e canale P. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: 0.055R&0.019R (55 & 19m Ohms). Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor MOSFET complementari, canale N e canale P. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: 0.028R&0.035R (28 & 35m Ohms). Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor MOSFET complementari, canale N e canale P. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Rds sulla resistenza attiva: 28/35m Ohms. RoHS: sì. Spec info: sostituto del MOSFET. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor MOSFET complementari, canale N e canale P. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SOP-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Rds sulla resistenza attiva: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor MOSFET complementari, canale N e canale P, SCHOTTKY VDS=30V, IF=3A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: modalità di miglioramento complementare FET. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Spec info: 0.025 Ohms & 0.042 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: modalità di miglioramento complementare FET. Ids: 1...5uA. Nota: IDM--30Ap & 30Ap. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Spec info: 0.024 Ohms & 0.036 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 16.2/4.8 ns. Td(acceso): 6.4 ns. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1.7V

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Transistor MOSFET, Rds (ON) molto basso. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Spec info: 0.024 Ohms & 0.048 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Transistor MOSFET complementari, canale N e canale P. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Spec info: 0.024 Ohm & 0.038 Ohm. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: modalità di miglioramento complementare FET. Marcatura sulla cassa: P605. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.8W. RoHS: sì. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: modalità di miglioramento complementare FET. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.8W. RoHS: sì. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.050 Ohms (Q2). Marcatura sulla cassa: 4501GM. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Nota: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). Nota: ID(AV)--N--9A P--8A. Nota: Vdss 30V (N), -30V (P). Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Nota: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: DIP-8. Alloggiamento: DIP

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Spec info: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: *SMD TO-252-4L*. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 4. Funzione: 2N-ch and 2P-ch POWER MOSFET. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Spec info: Rds-on 0.033 Ohms / 0.055 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Nota: Vds 30V & 30V. Nota: Id--8A/30Ap & 6A/20Ap. Nota: Rds-on 0.025 Ohms / 0.040 Ohms. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Modalità di miglioramento DUAL MOSFET (canali N e P)". Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: td(on) 7&10ns, td(off) 11&18ns. Nota: serigrafia/codice SMD KNP. Marcatura sulla cassa: KNP. Numero di terminali: 6. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: MOSFET in modalità di potenziamento della coppia complementare. Alloggiamento: SOT-363 ( SC-88 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-363

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Marcatura sulla cassa: 420. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPERSOT-6. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 6. Funzione: Rds-on 0.07 Ohms (Q1), 0.125 Ohms (Q2). Nota: serigrafia/codice SMD 420

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Condizionamento: rotolo. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: omplementary PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Unità di condizionamento: 2500. Spec info: Transistor a canale N (Q1), transistor a canale P (Q2)

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2). Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. C(in): 760pF. Costo): 155pF. Tipo di canale: N-P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Protezione GS: NINCS. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8