Transistor MOSFET AP4525GEH. Alloggiamento: SO. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Quantità per scatola: 2. RoHS: sì. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms. Tecnologia: *SMD TO-252-4L*. Tipo di canale: N-P. Prodotto originale del produttore: Advanced Power. Quantità in stock aggiornata il 13/12/2025, 00:34