Transistor MOSFET AP4506GEH. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Nota: Vdss 30V (N), -30V (P). Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.1W. Quantità per scatola: 2. RoHS: sì. Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N-P. Prodotto originale del produttore: Advanced Power. Quantità in stock aggiornata il 13/12/2025, 00:34