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Semiconduttori Transistor Coppia di transistor MOSFET N-P

Transistor MOSFET AP4506GEH

Transistor MOSFET AP4506GEH
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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
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Transistor MOSFET AP4506GEH. Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Nota: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). Nota: ID(AV)--N--9A P--8A. Nota: Vdss 30V (N), -30V (P). Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Prodotto originale del produttore Advanced Power. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 00:25.

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STU407D

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Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 4. Pd (dissip...
STU407D
Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 11W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 )
STU407D
Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 11W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 )
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