Transistor MOSFET AOP605. Alloggiamento: DIP. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Funzione: modalità di miglioramento complementare FET. Marcatura sulla cassa: P605. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.8W. Quantità per scatola: 2. RoHS: sì. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N-P. Prodotto originale del produttore: Alpha & Omega Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/12/2025, 00:34