Transistor IGBT

Transistor IGBT. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-218. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUP313. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 32A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 100 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 530 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6.5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Corrente massima del collettore (A): 64A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. Tipo di transistor: transistor IGBT. Tensione collettore-emettitore: 1200V. Corrente del collettore: 25A. Alloggiamento: TO-3P

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3PN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FGA40N65SMD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 650V. Corrente collettore Ic [A]: 40A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 120ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 174W. Corrente massima del collettore (A): 60.4k Ohms. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264. Custodia (standard JEDEC): tubo di plastica. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FGL40N120AND. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 40A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5.5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 500W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 20 ns. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264-3L. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.9V...3.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 25V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7.5V. Corrente massima del collettore (A): 160A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 12N60A4. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 54A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 17 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5.6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 167W. Corrente massima del collettore (A): 96A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 20N60A4. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 70A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 73 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 7V. Dissipazione massima Ptot [W]: 290W. Corrente massima del collettore (A): 280A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): 35 ns. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 20N60A4D. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 70A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 73 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 7V. Dissipazione massima Ptot [W]: 290W. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7V. Corrente massima del collettore (A): 280A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): UFS Series IGBT. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: HG20N60B3. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 40A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 25 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 220 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 165W. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Corrente massima del collettore (A): 160A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: G03H1202. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 3A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9.2 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 281 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3.9V. Dissipazione massima Ptot [W]: 62.5W. Corrente massima del collettore (A): 9.9A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. Tipo di transistor: transistor IGBT. Tensione drain-source: 1200V. Corrente del collettore: 50A. Potenza: 326W. Alloggiamento: TO-247AC

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: G60T120. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 60A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 50 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 480 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6.5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 375W. Corrente massima del collettore (A): 150A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Custodia (standard JEDEC): NINCS

Transistor IGBT. C(in): 1800pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Corrente del collettore: 60A. Ic(impulso): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Marcatura sulla cassa: H30MR5. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 330 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO247-3. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.55V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.85V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.4V. Funzione: Cottura induttiva, Forni a microonde. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor IGBT. Tipo di transistor: transistor IGBT. Tensione collettore-emettitore: 600V. Corrente del collettore: 40A. Potenza: 305W. Alloggiamento: TO-247AC

Transistor IGBT. Tipo di transistor: transistor IGBT. Tensione collettore-emettitore: 600V. Corrente del collettore: 24A. Potenza: 110W. Alloggiamento: TO-220AB

Transistor IGBT. Tipo di transistor: transistor IGBT. Tensione drain-source: 1200V. Corrente del collettore: 50A. Potenza: 326W. Alloggiamento: TO-247AC. Diodo incorporato: sì

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: K25T1202. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 25A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 27 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 265 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6.4V. Dissipazione massima Ptot [W]: 349W. Corrente massima del collettore (A): 100A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor IGBT. Tipo di transistor: transistor IGBT. Tensione collettore-emettitore: 1200V. Corrente del collettore: 82A. Potenza: 428W. Alloggiamento: TO-247AC. Diodo incorporato: sì

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC20FD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 16A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 43 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 240 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Corrente massima del collettore (A): 64A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC20KD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 16A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 54 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 180 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Td(spento): 180 ns. Td(acceso): 54 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220 ( AB ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.27V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Corrente massima del collettore (A): 32A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC20S. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 19A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 27 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 540 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Corrente massima del collettore (A): 38A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC20S. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 10A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 27 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 540 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Corrente massima del collettore (A): 38A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC20UD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 13A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 39 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 93 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Corrente massima del collettore (A): 52A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC20U. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 13A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 21 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 86 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Corrente massima del collettore (A): 52A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC30FD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 31A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 42 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 230 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W. Corrente massima del collettore (A): 60.4k Ohms. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC30KD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 28A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 60 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 160 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W. Corrente massima del collettore (A): 56A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C