Transistor IGBT BUP313

Transistor IGBT BUP313

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Prezzo unitario
1+
12.00€
Quantità in magazzino: 40

Transistor IGBT BUP313. Alloggiamento: TO-218. Collector Peak Current IP [A]: 64A. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 32A. Custodia (standard JEDEC): -. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Marcatura del produttore: BUP313. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 530 ns. RoHS: no. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 100 ns. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6.5V. Prodotto originale del produttore: Infineon. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:16

BUP313
15 parametri
Alloggiamento
TO-218
Collector Peak Current IP [A]
64A
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A]
32A
Dissipazione massima Ptot [W]
200W
Famiglia di componenti
transistor IGBT
Marcatura del produttore
BUP313
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
530 ns
RoHS
no
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
100 ns
Tensione collettore-emettitore Uce [V]
1.2 kV
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
6.5V
Prodotto originale del produttore
Infineon