Transistor IGBT FGL40N120ANDTU

Transistor IGBT FGL40N120ANDTU. Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264. Custodia (standard JEDEC): tubo di plastica. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FGL40N120AND. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 40A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5.5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 500W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 20 ns. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264-3L. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.9V...3.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 25V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7.5V. Corrente massima del collettore (A): 160A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 19/04/2025, 14:25.