Transistor IGBT FGL40N120ANDTU. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 3200pF. Collector Peak Current IP [A]: 160A. Condizionamento: tubo di plastica. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 40A. Corrente del collettore: 64A. Costo): 370pF. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264-3L. Custodia (standard JEDEC): -. Diodo CE: sì. Diodo Trr (min.): 75 ns. Diodo al germanio: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 500W. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Funzione: UPS, controlli motore AC/DC e inverter per uso generale. Ic(T=100°C): 40A. Ic(impulso): 160A. Marcatura del produttore: FGL40N120AND. Marcatura sulla cassa: FGL40N120AND. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 500W. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. RoHS: sì. Spec info: NPT-Trench IGBT. Td(acceso): 20 ns. Td(spento): 110 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5.5V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.9V...3.15V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 25. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 25V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 06/11/2025, 09:45