Transistor IGBT FGL40N120ANDTU

Transistor IGBT FGL40N120ANDTU. Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FGL40N120AND. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 40A. Corrente massima del collettore (A): 160A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5.5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 500W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Prodotto originale del produttore ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 02:25.