Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 16.42€ | 20.03€ |
2 - 2 | 15.60€ | 19.03€ |
3 - 4 | 15.27€ | 18.63€ |
5 - 9 | 14.78€ | 18.03€ |
10 - 14 | 14.45€ | 17.63€ |
15 - 19 | 13.96€ | 17.03€ |
20 - 132 | 13.47€ | 16.43€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 16.42€ | 20.03€ |
2 - 2 | 15.60€ | 19.03€ |
3 - 4 | 15.27€ | 18.63€ |
5 - 9 | 14.78€ | 18.03€ |
10 - 14 | 14.45€ | 17.63€ |
15 - 19 | 13.96€ | 17.03€ |
20 - 132 | 13.47€ | 16.43€ |
Transistor IGBT HGTG20N60A4D. Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 20N60A4D. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 70A. Corrente massima del collettore (A): 280A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 73 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 7V. Dissipazione massima Ptot [W]: 290W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Prodotto originale del produttore Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 02:25.
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