Transistor IGBT HGTG20N60A4D. Alloggiamento: TO-247. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Collector Peak Current IP [A]: 280A. Condizionamento: tubo di plastica. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 70A. Corrente del collettore: 70A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): -. Diodo CE: sì. Diodo Trr (min.): 35 ns. Diodo al germanio: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 290W. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Funzione: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast. Ic(T=100°C): 40A. Ic(impulso): 280A. Marcatura del produttore: 20N60A4D. Marcatura sulla cassa: 20N60A4D. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 290W. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 73 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 15 ns. Td(spento): 73 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 7V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 30. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19