Transistor IGBT HGTG20N60B3

Transistor IGBT HGTG20N60B3. Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: HG20N60B3. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 40A. Corrente massima del collettore (A): 160A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 25 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 220 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 165W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Prodotto originale del produttore Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 02:25.