Transistor IGBT IGW75N65H5XKSA1
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
9.05€
5-9
7.67€
10-19
7.41€
20-49
7.22€
50+
6.99€
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Transistor IGBT IGW75N65H5XKSA1. Alloggiamento: TO247. Carica: 160nC. Collector Peak Current IP [A]: 300A. Corrente collettore Ic [A]: 75A. Emettitore - Tensione del gate: ±20V. RoHS: sì. Tecnologia: TRENCHSTOP™. Tensione (collettore - emettitore): 650V. Tipo di transistor: IGBT. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 31/12/2025, 18:10
IGW75N65H5XKSA1
10 parametri
Alloggiamento
TO247
Carica
160nC
Collector Peak Current IP [A]
300A
Corrente collettore Ic [A]
75A
Emettitore - Tensione del gate
±20V
RoHS
sì
Tecnologia
TRENCHSTOP™
Tensione (collettore - emettitore)
650V
Tipo di transistor
IGBT
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies