Transistor IGBT IHW30N120R5XKSA1. Alloggiamento: TO-247. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1800pF. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente del collettore: 60A. Costo): 55pF. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO247-3. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: no. Funzione: Cottura induttiva, Forni a microonde. Ic(T=100°C): 30A. Ic(impulso): 90A. Marcatura sulla cassa: H30MR5. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Td(spento): 330 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.55V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.85V. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 30. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.4V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:35