Transistor IGBT IRG4BC20KDPBF. Alloggiamento: TO-220. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 450pF. Collector Peak Current IP [A]: 32A. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 16A. Corrente del collettore: 16A. Costo): 61pF. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220 ( AB ). Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Diodo CE: sì. Diodo Trr (min.): 37 ns. Diodo al germanio: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Funzione: IGBT ultraveloce, resistente al cortocircuito. Ic(T=100°C): 9A. Ic(impulso): 32A. Marcatura del produttore: IRG4BC20KD. Marcatura sulla cassa: G4BC20KD. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 180 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 54 ns. Td(spento): 180 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 54 ns. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.27V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.8V. Tipo di canale: N. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:35