Transistor IGBT IGW60T120

Transistor IGBT IGW60T120. Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: G60T120. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 60A. Corrente massima del collettore (A): 150A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 50 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 480 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6.5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 375W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Prodotto originale del produttore Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 02:25.