Transistor IGBT IKW25N120H3FKSA1

Qnéuantità

Prezzo unitario

1-1

13.50€

2-3

12.11€

4-5

11.04€

6-29

10.01€

30+

9.97€

Quantità in magazzino: 7

Transistor IGBT IKW25N120H3FKSA1. Alloggiamento: TO-247AC. Corrente del collettore: 50A. Diodo incorporato: sì. Potenza: 326W. Tensione drain-source: 1200V. Tipo di transistor: transistor IGBT. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 15:30

Documentazione tecnica (PDF)

IKW25N120H3FKSA1

7 parametri

Alloggiamento

TO-247AC

Corrente del collettore

50A

Diodo incorporato

sì

Potenza

326W

Tensione drain-source

1200V

Tipo di transistor

transistor IGBT

Prodotto originale del produttore

Infineon Technologies