Transistor IGBT IKW25N120H3FKSA1
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-1
13.46€
2-3
12.08€
4-5
11.01€
6-29
9.98€
30+
9.94€
| Quantità in magazzino: 7 |
Transistor IGBT IKW25N120H3FKSA1. Alloggiamento: TO-247AC. Corrente del collettore: 50A. Diodo incorporato: sì. Potenza: 326W. Tensione drain-source: 1200V. Tipo di transistor: transistor IGBT. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 12/12/2025, 13:57
IKW25N120H3FKSA1
7 parametri
Alloggiamento
TO-247AC
Corrente del collettore
50A
Diodo incorporato
sì
Potenza
326W
Tensione drain-source
1200V
Tipo di transistor
transistor IGBT
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies