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Semiconduttori Transistor
Transistor unigiunzione

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2N6027

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Transistor unigiunzione. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: PUT....
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Transistor unigiunzione. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: PUT.. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -50...+100°C. Spec info: Transistor unigiunzione programmabile
2N6027
Transistor unigiunzione. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: PUT.. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -50...+100°C. Spec info: Transistor unigiunzione programmabile
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2N6027G

2N6027G

Transistor unigiunzione. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor bipolare, strato singolo (PUT...
2N6027G
Transistor unigiunzione. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor bipolare, strato singolo (PUT). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N6027G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 150mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C
2N6027G
Transistor unigiunzione. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor bipolare, strato singolo (PUT). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N6027G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 150mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C
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2N6027G-TO92

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Transistor unigiunzione. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: PUT....
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Transistor unigiunzione. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: PUT.. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -50...+100°C. Spec info: Transistor unigiunzione programmabile
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Transistor unigiunzione. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: PUT.. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -50...+100°C. Spec info: Transistor unigiunzione programmabile
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2N6028

2N6028

Transistor unigiunzione. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: PUT....
2N6028
Transistor unigiunzione. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: PUT.. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -50...+100°C. Spec info: Transistor unigiunzione programmabile
2N6028
Transistor unigiunzione. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: PUT.. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -50...+100°C. Spec info: Transistor unigiunzione programmabile
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2N6028G

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Transistor unigiunzione. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor bipolare, strato singolo (PUT). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N6028G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 150mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C
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Transistor unigiunzione. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor bipolare, strato singolo (PUT). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N6028G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 150mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C
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