Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-39, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-39. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-39. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N2219A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-18, 600mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-18. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-18. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N2222A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-18, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-18. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-18. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N2222A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92 ( BULK Pack ), 40V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( BULK Pack ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Unità di condizionamento: 5000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: Transistor dell amplificatore. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 35. Marcatura sulla cassa: 2N2222A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 25 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 40V. Corrente del collettore: 0.2A. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 500 MHz. Funzione: transistor a commutazione. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 0.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 15 ns. Tf(min): 15 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -60...+200°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. C(in): 60pF. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 50. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Funzione: Amplificatore audio lineare e switching. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Numero di terminali: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ2955. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: tecnologia planare a base epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 350V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: S/VID. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 30. Numero di terminali: 3. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor NPN planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 450V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 250V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: S/VID. Data di produzione: 2014/06. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 40. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 117W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 117W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 40V. Corrente del collettore: 30A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.2 MHz. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V, 20A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Corrente del collettore: 20A. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.2 MHz. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.2 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 140V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.2 MHz. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 4 v. Vebo: 7V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 16A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 16A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N3773G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 140V. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Transistor NPN, TO-92, TO-92, 40V, 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Corrente del collettore: 100mA. RoHS: sì. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Costruzione di stampi planari epitassiali . Tf(massimo): 75 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. C(in): 8pF. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: transistor a commutazione. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100

Transistor NPN, TO-92, 200mA, saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Marcatura del produttore: 2N3904. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 40V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. C(in): 30pF. Costo): 6.5pF. Diodo CE: NINCS. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 0.9A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 30 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. C(in): 10pF. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Preamplificatore HI-FI a basso rumore. Guadagno hFE massimo: 900. Guadagno hFE minimo: 300. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 35V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V. Corrente del collettore: 0.4A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.2GHz. Guadagno hFE massimo: 210. Guadagno hFE minimo: 70. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V

Transistor NPN, TO-92, 0.6A, TO-92, 160V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 0.6A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. RoHS: sì. Diodo BE: NINCS. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 80. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Corrente del collettore: 25A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Costo): 500pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 50A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N5884. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 25mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N5886G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

Transistor NPN, 12A, 100V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE minimo: 750. Nota: b>750. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Tipo di transistor: NPN