Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 800V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: 0.3us

Transistor NPN, 500mA, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 50V. Corrente del collettore: 500mA. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Costo): 25pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70MHz. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 800mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.3V. Vebo: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-39, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-39. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Custodia (standard JEDEC): TO-39. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N1893. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 70 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, 0.8A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 40V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): 25pF. Costo): 8pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-18, 600mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 40V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-18. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-18. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N2222A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Famiglia di componenti: transistor NPN. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tf(massimo): 60 ns. Tf(min): 60 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -60...+200°C. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. C(in): 30pF. Costo): 8pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 35. Nota: transistor complementare (coppia) 2N2907A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-18, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-18. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-18. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N2222A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92 ( BULK Pack ), 40V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( BULK Pack ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Unità di condizionamento: 5000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: Transistor dell amplificatore. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 35. Marcatura sulla cassa: 2N2222A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 25 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 40V. Corrente del collettore: 0.2A. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Resistenza B: sì. Diodo BE: transistor NPN. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-18. Costo): TO-18. Diodo CE: montaggio a foro passante su PCB. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 500 MHz. Funzione: transistor a commutazione. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 0.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 15 ns. Tf(min): 15 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -60...+200°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-39, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-39. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-39. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N3019. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Famiglia di componenti: transistor NPN. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 60V, 15A, TO-3. Tensione collettore-emettitore VCEO: 60V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 115W

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Funzione: Amplificatore audio lineare e switching. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Numero di terminali: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: tecnologia planare a base epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ2955. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Funzione: Amplificatore audio lineare e switching. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Numero di terminali: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: tecnologia planare a base epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ2955. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ2955. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 15A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N3055G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 2.5 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 115W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 350V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: S/VID. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 30. Numero di terminali: 3. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor NPN planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 450V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 250V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: S/VID. Data di produzione: 2014/06. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 40. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 117W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 117W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 40V. Corrente del collettore: 30A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.2 MHz. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 20A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: NINCS. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N3772. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200kHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.2 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 140V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.2 MHz. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 4 v. Vebo: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 16A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 16A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N3773G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 140V. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN