FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 1.4A, 2.7A, 2.7A, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. ID (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (massimo): 2.7A. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: MOS-N-FET. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Transistor a canale N, 16mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (massimo): 16mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 25V. C(in): 2250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 53 ns. Tipo di transistor: FET. Funzione: Uni sym. Protezione GS: NINCS. ID (min): 4mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 4mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor JFET per uso generale. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 4.5V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-46, 20V, 10mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-46. Tensione drain-source Uds [V]: 20V. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale N. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N6550. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: -3V @ +10V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C

Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (massimo): 1000uA. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): O-92Ammo-Pack. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 60pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 0.5A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 2n7000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Peso: 0.18g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 0.8V

Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (massimo): 1000uA. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 60pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 0.5A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 2n7000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Peso: 0.18g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 0.8V

Transistor a canale N, 0.075A, 0.115A, 500uA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. ID (T=100°C): 0.075A. ID (T=25°C): 0.115A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 7.5 Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 50pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a piccolo segnale. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 0.8A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 702. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: 702. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 0.14A, 0.23A, 500uA, 3.2 Ohms, SOT-363 ( SC-88 ), 60V. ID (T=100°C): 0.14A. ID (T=25°C): 0.23A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.2 Ohms. Alloggiamento: SOT-363 ( SC-88 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 22pF. Costo): 11pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 2. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Controllo motore, gestione della potenza. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 0.8A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: K72. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 400mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 11 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: "MOSFET in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 60V, 0.115A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.115A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 72. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.05A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 20 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 50pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 30A, TO-220FP, TO-220D-A1, 300V. Ic(T=100°C): 30A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220D-A1. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. C(in): 580pF. Costo): 86pF. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Funzione: Driver dello schermo al plasma. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 30A. Ic(impulso): 60.4k Ohms. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Spec info: High speed hall time--tf=200nS(typ). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 120ns. Td(acceso): 87 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.5V

Transistor a canale N, 40A, TO-220FP, TO-220D-A1, 540V. Ic(T=100°C): 40A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220D-A1. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 540V. C(in): 1200pF. Costo): 125pF. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Funzione: VGE(th) VCE=10V, IC=1mA 3.0V...5.5V. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 230A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Spec info: High-speed switching--tf=185ns (typ). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 75 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.95V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.5V

Transistor a canale N, 20mA, 2.5mA, 2.5mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 20mA. Ids: 2.5mA. Idss (massimo): 2.5mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: FET. Funzione: Amplificazione HF. ID (min): 2.5mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Transistor a canale N, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 300uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1400pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 24A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 8.5 ns. Td(acceso): 4 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 8A, 300uA, 1.5 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 1000V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 300uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio Vds(max): 1000V. C(in): 1300pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 24A. Marcatura sulla cassa: K1120. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Spec info: Applicazione convertitore DC-DC e azionamento motore. Peso: 4.6g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Silicon N Channel Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 3.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1.5V

Transistor a canale N, 30A, 30A, 0.08 Ohms, 60V. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 30A. Rds sulla resistenza attiva: 0.08 Ohms. Voltaggio Vds(max): 60V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W

Transistor a canale N, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 4 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN 13-16A1A. Voltaggio Vds(max): 1400V. C(in): 1800pF. Costo): 500pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta tensione . Diodo al germanio: NINCS. Id(imp): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 240W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 220 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1.5V

Transistor a canale N, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 300uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 1300pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(imp): 27A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo MOS II.5. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V

Transistor a canale N, 3.2A, 5.5A, 5.5A, 1.2 Ohms, 400V. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (massimo): 5.5A. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Voltaggio Vds(max): 400V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore di tensione CC-CC. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tecnologia: V-MOS

Transistor a canale N, 2A, 3.6A, 3.6A, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (massimo): 3.6A. Rds sulla resistenza attiva: 3.6 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS

Transistor a canale N, 9A, 500uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1200pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 27A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: K1507. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 160 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: F-II Series POWER MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V

Transistor a canale N, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 1mA. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio Vds(max): 180V. C(in): 700pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazione dell amplificatore ad alta potenza. Protezione GS: NINCS. Marcatura sulla cassa: K1529. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SJ200. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MOS a canale N in silicio a effetto di campo. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 2.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.8V

Transistor a canale N, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 300uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.9 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 690pF. Costo): 120pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 210 ns. Td(acceso): 70 ns. Tecnologia: V-MOS. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V

Transistor a canale N, 20mA, 12mA, TO-92, TO-92, 20V. ID (T=25°C): 20mA. Idss (massimo): 12mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 4pF. Costo): 4pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: FET. Funzione: Applicazioni del sintonizzatore FM. Protezione GS: NINCS. ID (min): 0.6mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 2.5V

Transistor a canale N, 3A, 6A, 6A, 0.8 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 6A. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 24A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor MOSFET

Transistor a canale N, 4.5A, 9A, 9A, 0.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Rds sulla resistenza attiva: 0.35 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS-L

Transistor a canale N, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 2A. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 250V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: FAP-IIA Series