Transistor a canale N 2N7002-7-F, SOT-23, 60V

Transistor a canale N 2N7002-7-F, SOT-23, 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
5-99
0.14€
100-499
0.11€
500-2999
0.0801€
3000+
0.0576€
Quantità in magazzino: 3558
Min.: 5

Transistor a canale N 2N7002-7-F, SOT-23, 60V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.5A. Capacità del gate Ciss [pF]: 50pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 0.37W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 0.210A. Marcatura del produttore: K72. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 7.6 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 2.8 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Prodotto originale del produttore: Diodes Zetex. Quantità minima: 5. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:24

Documentazione tecnica (PDF)
2N7002-7-F
17 parametri
Alloggiamento
SOT-23
Tensione drain-source Uds [V]
60V
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
13.5 Ohms @ 0.5A
Capacità del gate Ciss [pF]
50pF
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Dissipazione massima Ptot [W]
0.37W
Famiglia di componenti
MOSFET, N-MOS
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
0.210A
Marcatura del produttore
K72
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
7.6 ns
RoHS
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
2.8 ns
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
2.5V
Prodotto originale del produttore
Diodes Zetex
Quantità minima
5