Transistor a canale N 2SK1117, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 300uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1400pF. Costo): 250pF. Diodo Trr (min.): 460 ns. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 4 ns. Td(spento): 8.5 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:26