Transistor a canale N 2N7000, TO-92, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, O-92Ammo-Pack, 60V

Transistor a canale N 2N7000, TO-92, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, O-92Ammo-Pack, 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
5-49
0.11€
50-99
0.0924€
100-299
0.0831€
300+
0.0710€
Disponibili altri +100 pezzi in magazzino (consegna entro 4 ore). Contattaci per prezzi e disponibilità!
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 567
Min.: 5

Transistor a canale N 2N7000, TO-92, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, O-92Ammo-Pack, 60V. Alloggiamento: TO-92. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (massimo): 1000uA. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): O-92Ammo-Pack. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 60pF. Confezione: Ammo Pack. Costo): 25pF. DRUCE CORRENTE: 0.2A. ID (min): 1uA. Id(imp): 0.5A. Marcatura del produttore: 2n7000. Marcatura sulla cassa: 2n7000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Peso: 0.18g. Polarità: unipolari. Potenza: 0.35W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Resistenza allo stato: 6 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 10 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 60V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Diotec Semiconductor. Quantità minima: 5. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31

Documentazione tecnica (PDF)
2N7000
37 parametri
Alloggiamento
TO-92
ID (T=25°C)
0.2A
Idss (massimo)
1000uA
Rds sulla resistenza attiva
5 Ohms
Custodia (secondo scheda tecnica)
O-92Ammo-Pack
Voltaggio Vds(max)
60V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
60pF
Confezione
Ammo Pack
Costo)
25pF
DRUCE CORRENTE
0.2A
ID (min)
1uA
Id(imp)
0.5A
Marcatura del produttore
2n7000
Marcatura sulla cassa
2n7000
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.35W
Peso
0.18g
Polarità
unipolari
Potenza
0.35W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Resistenza allo stato
6 Ohms
RoHS
Td(acceso)
10 ns
Td(spento)
10 ns
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di gate-source
±20V
Tensione drain-source
60V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
3V
Vgs(esimo) min.
0.8V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Diotec Semiconductor
Quantità minima
5

Prodotti e/o accessori equivalenti per 2N7000