Transistor a canale N 2N7000-ONS, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V

Transistor a canale N 2N7000-ONS, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.35€
5-49
0.29€
50-99
0.26€
100-199
0.23€
200+
0.20€
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 332

Transistor a canale N 2N7000-ONS, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (massimo): 1000uA. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 60pF. Costo): 25pF. ID (min): 1uA. Id(imp): 0.5A. Marcatura sulla cassa: 2n7000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Peso: 0.18g. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 10 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Diotec Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31

2N7000-ONS
27 parametri
ID (T=25°C)
0.2A
Idss (massimo)
1000uA
Rds sulla resistenza attiva
5 Ohms
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio Vds(max)
60V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
60pF
Costo)
25pF
ID (min)
1uA
Id(imp)
0.5A
Marcatura sulla cassa
2n7000
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.35W
Peso
0.18g
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
10 ns
Td(spento)
10 ns
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
3V
Vgs(esimo) min.
0.8V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Diotec Semiconductor

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