Transistor a canale N BS170, TO-92, 60V, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, 60V. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. ID (T=25°C): 0.5A. Idss (massimo): 10nA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 0.2A. C(in): 24pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 60pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di assorbimento massima: 0.5A. Costo): 40pF. DRUCE CORRENTE: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.83W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (min): 0.5uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 0.3A. Id(imp): 1.2A. Marcatura del produttore: BS170. Marcatura sulla cassa: BS170. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. Polarità: unipolari. Potenza: 0.83W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Resistenza allo stato: 5 Ohms. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 4 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 10 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, Piccoli segnali. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 4 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tensione drain-source: 60V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31