Transistor a canale N 2N7002, SOT-23 ( TO-236 ), 60V, 60V, 0.075A, 0.115A, 500uA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 60V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 60V. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. ID (T=100°C): 0.075A. ID (T=25°C): 0.115A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 7.5 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 7 Ohms @ 0.05A. C(in): 50pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 50pF. Caratteristiche: -. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Costo): 25pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Funzione: Transistor MOSFET a piccolo segnale. ID (min): 1uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 0.280A. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 0.28A. Id(imp): 0.8A. Informazioni: -. MSL: 1. Marcatura del produttore: 72. Marcatura sulla cassa: 702. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Polarità: MOSFET N. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. QG (CONDARE GATE TOTALE, MAX @ VGS): -. Quantità per scatola: 1. RDS su (max) @ id, vgs: 5 Ohms / 500mA / 10V. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 20 ns. RoHS: sì. Serie: -. Spec info: 702. Td(acceso): 20 ns. Td(spento): 40 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tensione gate/source Vgs max: -30V. Tipo di canale: N. Tipo di montaggio: SMD. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31