Transistor a canale N 0505-001247, 1.4A, 2.7A, 2.7A, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. ID (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (massimo): 2.7A. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Funzione: MOS-N-FET. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Samsung. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11