Transistor a canale N IRFU210, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V

Transistor a canale N IRFU210, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.33€
5-24
1.10€
25-49
0.93€
50+
0.84€
Quantità in magazzino: 76

Transistor a canale N IRFU210, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 140pF. Costo): 53pF. Diodo Trr (min.): 150 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 25uA. Id(imp): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 8.2 ns. Td(spento): 14 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11

Documentazione tecnica (PDF)
IRFU210
28 parametri
ID (T=100°C)
1.7A
ID (T=25°C)
2.6A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
1.5 Ohms
Alloggiamento
TO-251 ( I-Pak )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-251AA ( I-PAK )
Voltaggio Vds(max)
200V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
140pF
Costo)
53pF
Diodo Trr (min.)
150 ns
Funzione
commutazione ad alta velocità
ID (min)
25uA
Id(imp)
10A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
25W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
8.2 ns
Td(spento)
14 ns
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Vishay