Transistor a canale N 2N7002DW, 0.14A, 0.23A, 500uA, 3.2 Ohms, SOT-363 ( SC-88 ), 60V

Transistor a canale N 2N7002DW, 0.14A, 0.23A, 500uA, 3.2 Ohms, SOT-363 ( SC-88 ), 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.29€
5-49
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200+
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Transistor a canale N 2N7002DW, 0.14A, 0.23A, 500uA, 3.2 Ohms, SOT-363 ( SC-88 ), 60V. ID (T=100°C): 0.14A. ID (T=25°C): 0.23A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.2 Ohms. Alloggiamento: SOT-363 ( SC-88 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 22pF. Costo): 11pF. Funzione: Controllo motore, gestione della potenza. ID (min): 1uA. Id(imp): 0.8A. Marcatura sulla cassa: K72. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 400mW. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 2. RoHS: sì. Td(acceso): 7 ns. Td(spento): 11 ns. Tecnologia: "MOSFET in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Diodes Inc. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31

Documentazione tecnica (PDF)
2N7002DW
28 parametri
ID (T=100°C)
0.14A
ID (T=25°C)
0.23A
Idss (massimo)
500uA
Rds sulla resistenza attiva
3.2 Ohms
Alloggiamento
SOT-363 ( SC-88 )
Voltaggio Vds(max)
60V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
22pF
Costo)
11pF
Funzione
Controllo motore, gestione della potenza
ID (min)
1uA
Id(imp)
0.8A
Marcatura sulla cassa
K72
Numero di terminali
6
Pd (dissipazione di potenza, massima)
400mW
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
2
RoHS
Td(acceso)
7 ns
Td(spento)
11 ns
Tecnologia
"MOSFET in modalità potenziamento"
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Diodes Inc.