Moduli IGBT

Modulo IGBT. Tipo di canale: N. Funzione: 6 x IGBT For Power Management. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 8A. Nota: driver del motore CA trifase. Frequenza: 20kHz. Numero di terminali: 24. Pd (dissipazione di potenza, massima): 21.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 685 ns. Td(acceso): 605 ns. Tecnologia: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Temperatura di funzionamento: -40...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Spec info: IC=4A TC=25°C, IC=2.5A TC=100°C. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Modulo IGBT. C(in): 1600pF. Costo): 260pF. Tipo di canale: N. Funzione: 3 CH. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 100A. Ic(T=100°C): 30A. Numero di terminali: 17. Dimensioni: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: sì. Peso: 170g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 400 ns. Td(acceso): 70 ns. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: IFSM--350Ap (t=10ms). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS