Moduli IGBT

Tipo di canale: N. Funzione: 6 x IGBT For Power Management. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 8A. Nota: driver del motore CA trifase. Frequenza: 20kHz. Numero di terminali: 24. Pd (dissipazione di potenza, massima): 21.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 685 ns. Td(acceso): 605 ns. Tecnologia: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Temperatura di funzionamento: -40...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Spec info: IC=4A TC=25°C, IC=2.5A TC=100°C. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: G60T120. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 60A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 50 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 480 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6.5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 375W. Corrente massima del collettore (A): 150A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Custodia (standard JEDEC): NINCS

C(in): 1800pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Corrente del collettore: 60A. Ic(impulso): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Marcatura sulla cassa: H30MR5. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 330 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO247-3. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.55V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.85V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.4V. Funzione: Cottura induttiva, Forni a microonde. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 825pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente del collettore: 20A. Ic(T=100°C): 14A. Marcatura sulla cassa: GB14C40L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 8.3 ns. Td(acceso): 1.35 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 1.3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 2.2V. Numero di terminali: 3. Nota: > 6KV ESD Gate Protection. Nota: resistenze integrate R1 G (75 Ohm), R2 GE (20k Ohm). Unità di condizionamento: 50. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: sì

C(in): 3025pF. Costo): 245pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Corrente del collettore: 90A. Ic(impulso): 144A. Ic(T=100°C): 48A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 165 ns. Td(acceso): 145 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AD ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.65V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Numero di terminali: 3. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 760pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Funzione: Extreme Light Punch Through, IGBT for 10-30kHz Switching. Corrente del collettore: 480A. Ic(impulso): 1200A. Ic(T=100°C): 200A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1630W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 226 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: XPT™ 900V IGBT, GenX4™. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 650V. Voltaggio gate/emettitore VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 1200A. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 9830pF. Costo): 570pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Funzione: IGBT ad alta velocità per commutazione 20-50kHz. Corrente del collettore: 310A. Ic(impulso): 840A. Ic(T=100°C): 140A. Marcatura sulla cassa: IXYK140N90C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1630W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 145 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.15V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 900V. Voltaggio gate/emettitore VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 1600pF. Costo): 260pF. Tipo di canale: N. Funzione: 3 CH. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 100A. Ic(T=100°C): 30A. Numero di terminali: 17. Dimensioni: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: sì. Peso: 170g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 400 ns. Td(acceso): 70 ns. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: IFSM--350Ap (t=10ms). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 2870pF. Costo): 295pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 45 ns. Funzione: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Corrente del collettore: 70A. Ic(impulso): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Marcatura sulla cassa: GW20NC60KD. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 164 ns. Td(acceso): 46 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 8000pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 74 ns. Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marcatura sulla cassa: GW60V60DF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 375W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 216 ns. Td(acceso): 57 ns. Alloggiamento: TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7V. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS