Modulo IGBT SKM40GD123D

Modulo IGBT SKM40GD123D. Modulo IGBT. C(in): 1600pF. Costo): 260pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Funzione: 3 CH. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 100A. Ic(T=100°C): 30A. Numero di terminali: 17. Dimensioni: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: sì. Spec info: IFSM--350Ap (t=10ms). Peso: 170g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 400 ns. Td(acceso): 70 ns. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Prodotto originale del produttore Semikron. Quantità in stock aggiornata il 05/06/2025, 14:25.