Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 8.24€ | 10.05€ |
2 - 2 | 7.82€ | 9.54€ |
3 - 4 | 7.41€ | 9.04€ |
5 - 9 | 7.00€ | 8.54€ |
10 - 19 | 6.84€ | 8.34€ |
20 - 29 | 6.67€ | 8.14€ |
30 - 38 | 6.42€ | 7.83€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 8.24€ | 10.05€ |
2 - 2 | 7.82€ | 9.54€ |
3 - 4 | 7.41€ | 9.04€ |
5 - 9 | 7.00€ | 8.54€ |
10 - 19 | 6.84€ | 8.34€ |
20 - 29 | 6.67€ | 8.14€ |
30 - 38 | 6.42€ | 7.83€ |
IXTQ460P2. C(in): 2890pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 24A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 480W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: PolarP2TM Power MOSFET. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 270 milliOhms. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 23:25.
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