Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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IRFZ44N

IRFZ44N
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IRFZ44N. C(in): 1470pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 63us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 94W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0175 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.

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