Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.43€ | 1.74€ |
5 - 9 | 1.36€ | 1.66€ |
10 - 24 | 1.28€ | 1.56€ |
25 - 49 | 1.21€ | 1.48€ |
50 - 62 | 1.18€ | 1.44€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.43€ | 1.74€ |
5 - 9 | 1.36€ | 1.66€ |
10 - 24 | 1.28€ | 1.56€ |
25 - 49 | 1.21€ | 1.48€ |
50 - 62 | 1.18€ | 1.44€ |
IRF5305. C(in): 1200pF. Costo): 520pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 71 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0.06 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.
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