Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

IRF5305

IRF5305
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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 1.43€ 1.74€
5 - 9 1.36€ 1.66€
10 - 24 1.28€ 1.56€
25 - 49 1.21€ 1.48€
50 - 62 1.18€ 1.44€
Qnéuantità U.P
1 - 4 1.43€ 1.74€
5 - 9 1.36€ 1.66€
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Set da 1

IRF5305. C(in): 1200pF. Costo): 520pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 71 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0.06 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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