Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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1N4007

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10 - 24 0.23€ 0.28€
25 - 49 0.22€ 0.27€
50 - 99 0.21€ 0.26€
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1N4007. VRRM: 1000V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: 30Ap/8.3ms. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.

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BY133

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RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Ca...
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RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): DO-41. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1300V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
BY133
RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): DO-41. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1300V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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SUF4007

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Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (m...
SUF4007
Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Unità di condizionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
SUF4007
Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Unità di condizionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
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EM516

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Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: s...
EM516
Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2x2.7 ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1600V. Spec info: 30Ap
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Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2x2.7 ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1600V. Spec info: 30Ap
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Tipo di canale: N. Funzione: Ultra Fast Speed IGBT (8-40KHz). Corrente del collettore: 23A. Ic(impul...
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