STP80NF12

STP80NF12. C(in): 4300pF. Costo): 600pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 155 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P80NF12. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.013 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 134 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 120V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.