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IXTP36N30P

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2 - 2 6.11€ 7.45€
3 - 4 5.78€ 7.05€
5 - 9 5.46€ 6.66€
10 - 19 5.33€ 6.50€
20 - 29 5.21€ 6.36€
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IXTP36N30P. C(in): 2250pF. Costo): 370pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 92m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 97 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 300V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 23:25.

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IXTQ36N30P

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C(in): 2250pF. Costo): 370pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFE...
IXTQ36N30P
C(in): 2250pF. Costo): 370pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 92m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 97 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 300V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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