IXTP90N055T

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IXTP90N055T. C(in): 2500pF. Costo): 440pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Ic(T=100°C): 75A. Id(imp): 240A. ID (T=25°C): 90A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 176W. Rds sulla resistenza attiva: 0.066 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: TrenchMVTM Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 23:25.

Documentazione tecnica

Prodotti equivalenti :

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IXTP90N055T2

C(in): 2770pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 37 ns. ...

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